前回までの話で、「1平板」の導体では、片面電界 $E$ は
片面の電界 $E~~=~~\dfrac{Q}{2\epsilon_0S}~~[\mathrm{~N/C~}] \cdots(ア)$
で与えられる。
ここで、「2平板」にすることを考える。一方の平板に $+Q~~[~\mathrm{C}~]$、他方の平板に $-Q~~[~\mathrm{C}~]$
与えた「コンデンサー」を考えると、「電気力線」によれば、
【重ね合わせの原理】により、両極板間では【力線密度2倍】で、外部 = 0
になる。ところで、電界の強さは「電気力線の密度に比例」する。
つまり、(ア)より、
$$E' = 2E$$
コンデンサー内部の電界 $E' = \dfrac{Q}{\epsilon_0 S}~~~[\mathrm{~N/C~}] \cdots(イ)$
ここで、相対する極板の面積 $S~~[\mathrm{m^2}]$ の極板間隔 $d~~[\mathrm{m}]$ ($d$ は十分小さい)の
平面板コンデンサーを考える。
$$V=dE'$$
$$V=d\times\dfrac{Q}{\epsilon_0 S}$$
$$V=\dfrac{d}{\epsilon_0 S}\times Q $$
であるから、
$C=\dfrac{Q}{V}=\epsilon_0\dfrac{S}{ d}~~~[~\mathrm{F}~] \cdots(ウ)$
として、$\dfrac{Q}{V}$ を、新たに $C$ とおき、これを「コンデンサー容量 $C$」という。単位は「ファラッド( F ) 」である。
(ウ)より、
コンデンサー容量$C$ は、極板面積 $S$ に比例し、極板間隔 $d$ に反比例する
ことがわかる。
コンデンサーのエネルギーについて考えよう。
いま、極板Aの電荷が $+q$、極板Bの電荷が $-q$ になっているとする。
このときのAB間の電位差 $V(q)$ は(ウ)式より、
$$V(q) = \frac{q}{C} \cdots(エ)$$
このとき、微小電荷$\Delta q$ を極板Bから極板Aまで、静電気力に逆らって、
ゆっくり移動させることを考える。そうすると、外力がする仕事 $\Delta W$ は、
$\Delta q$ が十分小さければ、AB間の電位差 $V(q)$ を一定とみなせるので、
$$\Delta W = V(q) \cdot\Delta q$$
と表せる。(エ)より、
$$\Delta W = \frac{q}{C}\cdot \Delta q$$
$$W=\int_0^Q V(q)dq$$
$$=\frac{1}{C}\int_0^Q q~~ dq$$
$$=\frac{1}{C}\left[\frac{q^2}{2}\right]_0^{Q}$$
よって、(ウ)とあわせて、
$U = \dfrac{Q^2}{2C}=\dfrac{1}{2}QV=\dfrac{1}{2}CV^2 \cdots(オ)$
が「コンデンサーの静電エネルギー」である。
誘電体をコンデンサー内部に含ませると、
誘電分極による絶縁体内の電場が空間部の $\dfrac{1}{\epsilon}$ 倍となる
ことが知られている。
ここで、「真空中の誘電率を $\epsilon_0$ 」とするとき、
真空中に対する絶縁体の誘電率 $\epsilon_r$ を「比誘電率 $\epsilon_r=\dfrac{\epsilon}{\epsilon_0}$ ($\epsilon_0 < \epsilon$) 」という
(ウ)式の $\epsilon_0$ は「真空中の誘電率」である。
コンデンサーの連結を考えよう。「抵抗の連結」とは逆になっている。
[ 1 ] 直列
$$\frac{1}{C}=\frac{1}{C_1}+\frac{1}{C_2}+\cdots+\frac{1}{C_n}$$
$$Q=Q_1 = Q_2 =\cdots + Q_n$$
[ 2 ] 並列
$$C=C_1+C_2+ \cdots + C_n$$
$$Q=\frac{C}{C_1+C_2+\cdots + C_n}$$